کلمه RAM (رم) مخفف عبارت Random Access Memory به معنای “حافظه دسترسی تصادفی” یا “حافظه با دسترسی تصادفی” است. این قطعه با نام‌های زیر نیز شناخته می‌شود:
- Memory (حافظه)
- Non-sequential Memory (حافظه غیر ترتیبی)
- Randomly Memory (حافظه تصادفی)
- Main Memory (حافظه اصلی)
- RWM (حافظه خواندنی و نوشتنی)
- Working Memory (حافظه خواندنی)
در ادامه به بخش دوم بررسی انواع رم سرور می پردازیم با ما همراه باشید:
سرعت DIMM
وقتی سرعت DIMM افزایش پیدا می‌کند به تناسب میزان تاخیر نیز کاهش پیدا خواهد کرد. این تاخیر مخصوصا وقتی که حافظه درگیر ارائه داده‌ها برای پردازش است بیشتر قابل ملاحظه است. وقتی حافظه درگیر باشد، بزرگترین فاکتور که باعث افزایش زمان تاخیر می شود، مدت زمانی است که درخواست حافظه در صف انتظار برای اجرا شدن سپری می‌کند. هر چه قدر سرعت DIMM بیشتر باشد، کنترلر حافظه با سرعت بیشتر دستورهای درون صف را پردازش می‌کند. برای مثال وقتی سرعت یک حافظه 2400 MT/s باشد، می‌توان گفت که میزان تاخیر آن نسبت به مدل 2133 MT/s حدود 5 درصد کاهش پیدا می‌کند.
رنک (Ranks)
با در نظر گرفتن یک حافظه DDR4 که از یک نوع DIMM و سرعت هستند، افزایش تعداد رنک به صورت عمومی باعث افزایش میزان تاخیر حافظه در زمان درگیر بودن است. در حالی که تعداد بیشتر رنک قدرت بیشتر را به کنترلر حافظه برای موازی سازی درخواست‌ها می‌دهد و به همین ترتیب میزان صف انتظار نیز برای درخواست‌ها کاهش پیدا می‌کند اما کنترلر باید دستورات بیشتری را نیز تحت نظر قرار دهد. مزیت‌های قدرت بیشتر در موازی سازی در نهایت می‌تواند می‌تواند با چهار رنک تقریبا تمام مشکلات جانبی را برطرف کند. البته در نهایت نتیجه به دست آمده باعث می شود که مدت تاخیر در زمانی که حافظه درگیر است به خصوص در زمان استفاده از دو یا چهار رنک کاهش پیدا کند. در صورتی که تعداد رنک در هر کانال از چهار فراتر رود، میزان تاخیر در زمان درگیر بودن حافظه افزایش پیدا خواهد کرد.
زمان تاخیر CAS
CAS یا Column Address Strobe در واقع نمایانگر زمان پاسخگویی پایه یک DRAM است. این مقدار در واقع نمایانگر سرعت ساعت یک حافظه است که کنترلر باید برای انجام وظایف با آنها هماهنگ شود. زمان تاخیر CAS همیشه در حالت آزاد و درگیر برای پردازش یکی است. میزان کمتر CAS همیشه بهتر است.